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測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復開啟和關閉引起的反復高溫和低溫，加速芯片內各種組件材料和結合面的熱機械應力，驗證封裝、內部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應力能力。IOL間歇壽命試驗系統(tǒng)HK-IOL-16H

IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗系統(tǒng) 華科智源-功率循環(huán)老化設備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關鍵是控制結溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。

SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000功能及主要參數： 　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時間參數測試。

HUSTEC-DC-2020分立器件測試儀設備擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補 償由于系統(tǒng)內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。

MOS管動態(tài)參數測試儀ITC57300 ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數測試設備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數測試設備。

大功率IGBT靜態(tài)參數測試儀HUSTEC-1200A-MT 華科智源IGBT電參數測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

IGBT雙脈沖測試平臺PT-1224 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現模塊的動態(tài)參數測試 品牌： 華科智源 名稱： 雙脈沖測試平臺 用途： 測試動態(tài)參數

IGBT靜態(tài)參數測試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測試儀，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數，并生產器件傳輸曲線和轉移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。